詳細解說N+N mos管在電路中的作用 40V mos管
2021/1/19 14:08:45 點擊：
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MOS英文全稱為金屬-氧化物-半導體，描寫了集成電路中的構造，即：在必然構造的半導體器材上，加上二氧化硅和金屬，構成柵極。這兩種型態的構造沒有太大的差異，僅僅耗盡型MOS一開始在Drain-Source的通道上就有載子，所以即便在VGS為零的情況下，
供應應設計者一種高速度、高功率、高電壓、與高增益的元件。有些場效應管的源極和漏極能夠交流運用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。
能在很小電流和很低電壓的條件下功課，而且它的制造技能能夠很方便地把許多場效應管集成在一塊硅片上，因而場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的運用。它作用特征:開關速度快、高頻任性能好，輸入阻抗高、驅動功率小、熱穩定性優異、無二次擊穿標題、全功課區寬、功課線性度高等等，其最主要的利益就是能夠減少體積巨細與分量，
MOS又分為兩種，一種為耗盡型（DepletionMOS），另一種為增強型（EnhancementMOS）。
耗盡型MOS仍能夠導通的。 MOS管的source和drain是能夠對調的，都是在P型backgate中構成的N型區。
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