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近年來(lái)，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。


然而，第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用還面臨著諸多挑戰(zhàn)。如何破局？




以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料正在改變著我們的生活。一個(gè)氮化鎵快充充電器的體積僅是傳統(tǒng)充電器的一半左右。


新能源汽車(chē)更是通過(guò)使用碳化硅技術(shù)，使其續(xù)航里程在短期內(nèi)顯著提升。


此外，隨著光伏發(fā)電和儲(chǔ)能設(shè)施等應(yīng)用的蓬勃發(fā)展，全球第三代半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)持續(xù)高度增長(zhǎng)。


碳化硅，氮化鎵產(chǎn)品相對(duì)于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度、支持高電流密度、耐受更高的溫度等優(yōu)勢(shì)。


但是，這類(lèi)器件的制造過(guò)程面臨著雜散電感、寄生電阻和器件散熱等一系列挑戰(zhàn)。


長(zhǎng)電科技面向第三代半導(dǎo)體功率器件，開(kāi)發(fā)了高密度成品制造解決方案，通過(guò)融合多種先進(jìn)封裝技術(shù)，減少雜散電感的干擾：


通過(guò)改善鍵合工藝，降低封裝寄生電阻，提高器件通流能力和轉(zhuǎn)換效率；


通過(guò)優(yōu)化散熱結(jié)構(gòu)等技術(shù)改善熱傳導(dǎo)路徑，提高穩(wěn)定性和可靠性。


隨著5G基站、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的加速建設(shè)，對(duì)半導(dǎo)體器件的性能提出更高要求，其市場(chǎng)需求也大幅增長(zhǎng)。


從全球市場(chǎng)增速來(lái)看，根據(jù)市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)Yole預(yù)測(cè)，2021~2027年全球碳化硅功率器件市場(chǎng)保持超過(guò)30%的年復(fù)合增長(zhǎng)。在不久的將來(lái)，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體有望迎來(lái)“最好的時(shí)代”。


長(zhǎng)電科技厚積薄發(fā)，定位創(chuàng)新前沿，多年來(lái)面向第三代半導(dǎo)體功率器件開(kāi)發(fā)完成的高密度成品制造解決方案，已進(jìn)入產(chǎn)能擴(kuò)充階段，預(yù)計(jì)相關(guān)產(chǎn)品營(yíng)收規(guī)模有望大幅增長(zhǎng)，同時(shí)將促進(jìn)第三代半導(dǎo)體器件在全球應(yīng)用市場(chǎng)的快速上量。