英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET
2023-12-9 15:05:05??????點擊：
數據中心和計算應用對電源的需求日益增長，需要提高電源的效率并設計緊湊的電源。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）順應系統層面的發展趨勢，推出業界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS 7系列。OptiMOS 7 15 V系列于服務器、計算、數據中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率。
OptiMOS 7 功率MOSFET
該半導體產品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標準門級和門級居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇；此外，該產品組合還包含穩定可靠的超小型的PQFN 2 x 2 mm2封裝。OptiMOS 7 15 V技術專為低輸出電壓下的DC-DC轉換定制，尤其適合服務器和計算環境。這項先進技術符合數據中心配電中出現的48:1 DC-DC轉換的新趨勢。
與現有的OptiMOS5 25 V相比，全新OptiMOS 7 15 V通過降低擊穿電壓，將 RDS(on) 和FOM Qg減少了約30%，并將FOM QOSS減少了約50%。PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置封裝型號提供更靈活優化的PCB設計。PQFN 2 x 2 mm2封裝的脈沖電流能力超過500 A，典型RthJC為1.6 K/W。通過最大程度地減少傳導和開關損耗并采用先進的封裝技術，實現了簡化散熱管理，樹立了功率密度和整體效率的新標桿。
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