安森美SiC功率模塊助力臺達太陽能光伏逆變器高效工作
2020-8-3 15:01:00??????點擊：
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出一款適用于太陽能逆變器應用的全SiC功率模塊，該產品已被全球領先的電源和熱管理方案供應商臺達選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。
NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術的使用提供了實現太陽能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速開關特性。
安森美半導體先進電源分部高級副總裁Asif Jakwani說：“碳化硅技術有潛力變革能源市場。安森美半導體開發的全SiC集成功率模塊解決了太陽能逆變器在提升功率水平下對更高系統能效的需求，并證實SiC技術的成熟。”
臺達光伏逆變器事業部主管Raymond Lee說：“我們專注于提供創新、清潔和節能的方案，以打造更美好的明天，我們一直在尋求與可幫助我們實現最高能效、減小產品體積和重量并滿足全球太陽能光伏市場需求的供應商合作。選用安森美半導體的全SiC功率模塊用于我們的M70A 70kW三相光伏組串逆變器，因為它們提供同類最佳的性能，再結合我們在高能效電力電子領域的獨特專知，使我們的產品能實現高達98.8％的峰值能量轉換能效。”
作為安森美半導體不斷增長的基于寬禁帶(WBG)技術的功率集成模塊(PIM)陣容的一員，NXH40B120MNQ集成度高，引腳分配針對逆變器設計進行了優化。 通過使用SiC器件，功率模塊提供低導通和開關損耗，從而支持使用更高的開關頻率，有助于提高逆變能效。 這些模塊易于使用，可根據客戶的喜好，采用無焊壓合連接和客戶定義的熱接口選項。
NXH40B120MNQ全SiC電源模塊有2通道和3通道版本，還有2通道模塊NXH80B120MNQ0，集成了一個1200 V、80 mΩ SiC MOSFET和1200 V、20 A SiC二極管。
關鍵字：安森美 SiC
NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術的使用提供了實現太陽能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速開關特性。
安森美半導體先進電源分部高級副總裁Asif Jakwani說：“碳化硅技術有潛力變革能源市場。安森美半導體開發的全SiC集成功率模塊解決了太陽能逆變器在提升功率水平下對更高系統能效的需求，并證實SiC技術的成熟。”
臺達光伏逆變器事業部主管Raymond Lee說：“我們專注于提供創新、清潔和節能的方案，以打造更美好的明天，我們一直在尋求與可幫助我們實現最高能效、減小產品體積和重量并滿足全球太陽能光伏市場需求的供應商合作。選用安森美半導體的全SiC功率模塊用于我們的M70A 70kW三相光伏組串逆變器，因為它們提供同類最佳的性能，再結合我們在高能效電力電子領域的獨特專知，使我們的產品能實現高達98.8％的峰值能量轉換能效。”
作為安森美半導體不斷增長的基于寬禁帶(WBG)技術的功率集成模塊(PIM)陣容的一員，NXH40B120MNQ集成度高，引腳分配針對逆變器設計進行了優化。 通過使用SiC器件，功率模塊提供低導通和開關損耗，從而支持使用更高的開關頻率，有助于提高逆變能效。 這些模塊易于使用，可根據客戶的喜好，采用無焊壓合連接和客戶定義的熱接口選項。
NXH40B120MNQ全SiC電源模塊有2通道和3通道版本，還有2通道模塊NXH80B120MNQ0，集成了一個1200 V、80 mΩ SiC MOSFET和1200 V、20 A SiC二極管。
關鍵字：安森美 SiC
