華為將把14nm訂單從臺(tái)積電轉(zhuǎn)移到中芯國際
2020-4-17 9:52:33??????點(diǎn)擊：
據(jù)報(bào)道，海思半導(dǎo)體已與中芯國際簽訂了14納米訂單。
據(jù)《Digitimes》援引不愿透露姓名的業(yè)內(nèi)消息稱，華為海思半導(dǎo)體已向中國最大的芯片制造商中芯國際發(fā)出了14nm訂單。
海思半導(dǎo)體的麒麟710智能手機(jī)處理器是基于臺(tái)積電的12nm FinFET節(jié)點(diǎn)所開發(fā)，2018年年中已經(jīng)淘汰。有傳言說，海思計(jì)劃發(fā)布麒麟710的簡化版本麒麟710A，麒麟710A有望利用14nm FinFET工藝。
臺(tái)積電一直是海思的核心供應(yīng)商，最近的變化表明，中芯國際的14nm FinFET制造工藝已經(jīng)改進(jìn)到可以與臺(tái)積電的14nm工藝節(jié)點(diǎn)相抗衡。此外，美國可能會(huì)阻止臺(tái)積電與華為的合作，這可能也是海思決定從臺(tái)積電轉(zhuǎn)到中芯國際的另一個(gè)原因。
自2019年第四季度以來，中芯國際的第一代14nm FinFET工藝已經(jīng)投入運(yùn)行，財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，該節(jié)點(diǎn)占第四季度公司晶圓總收入的1％左右，中芯國際也計(jì)劃今年逐步提高產(chǎn)量。
盡管與臺(tái)積電相比，中芯國際的競爭實(shí)力稍弱，但不應(yīng)低估中國芯片制造商。中芯國際希望完全跳過10nm節(jié)點(diǎn)，直接過渡到7nm節(jié)點(diǎn)。該公司預(yù)計(jì)到2020年底將進(jìn)行7nm工藝的試生產(chǎn)。而反觀臺(tái)積電，目前其EUV工藝進(jìn)展順利。據(jù)稱，海思在臺(tái)積電采用了EUV節(jié)點(diǎn)的工藝。
根據(jù)報(bào)道，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在繼續(xù)努力以逐步擺脫美國技術(shù)的封鎖并實(shí)現(xiàn)自給自足。
關(guān)鍵字：華為 臺(tái)積電
據(jù)《Digitimes》援引不愿透露姓名的業(yè)內(nèi)消息稱，華為海思半導(dǎo)體已向中國最大的芯片制造商中芯國際發(fā)出了14nm訂單。
海思半導(dǎo)體的麒麟710智能手機(jī)處理器是基于臺(tái)積電的12nm FinFET節(jié)點(diǎn)所開發(fā)，2018年年中已經(jīng)淘汰。有傳言說，海思計(jì)劃發(fā)布麒麟710的簡化版本麒麟710A，麒麟710A有望利用14nm FinFET工藝。
臺(tái)積電一直是海思的核心供應(yīng)商，最近的變化表明，中芯國際的14nm FinFET制造工藝已經(jīng)改進(jìn)到可以與臺(tái)積電的14nm工藝節(jié)點(diǎn)相抗衡。此外，美國可能會(huì)阻止臺(tái)積電與華為的合作，這可能也是海思決定從臺(tái)積電轉(zhuǎn)到中芯國際的另一個(gè)原因。
自2019年第四季度以來，中芯國際的第一代14nm FinFET工藝已經(jīng)投入運(yùn)行，財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，該節(jié)點(diǎn)占第四季度公司晶圓總收入的1％左右，中芯國際也計(jì)劃今年逐步提高產(chǎn)量。
盡管與臺(tái)積電相比，中芯國際的競爭實(shí)力稍弱，但不應(yīng)低估中國芯片制造商。中芯國際希望完全跳過10nm節(jié)點(diǎn)，直接過渡到7nm節(jié)點(diǎn)。該公司預(yù)計(jì)到2020年底將進(jìn)行7nm工藝的試生產(chǎn)。而反觀臺(tái)積電，目前其EUV工藝進(jìn)展順利。據(jù)稱，海思在臺(tái)積電采用了EUV節(jié)點(diǎn)的工藝。
根據(jù)報(bào)道，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在繼續(xù)努力以逐步擺脫美國技術(shù)的封鎖并實(shí)現(xiàn)自給自足。
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